HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能

	HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能
	任丙彦 ; 刘晓平 ; 许颖 ; 王敏花 ; 廖显伯
刊名	太阳能学报
	2007
卷号	28 期号:5 页码:504-507
中文摘要	采用射频磁控溅射技术在不同射频功率下沉积了ITO薄膜,并将其应用于HIT太阳电池.分析了薄膜的结构、光电特性.结果表明,在120W时制备的薄膜很好地兼顾了电阻率和光透过率,其电阻率为3.48×10~(-4)Ω·cm、在350～800 nm波段的平均光透过率为87.1%,将其应用于HIT太阳电池上,电池的转换效率可达13.38%.
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	河北省自然科学基金项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16269]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	任丙彦,刘晓平,许颖,等. HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能[J]. 太阳能学报,2007,28(5):504-507.
APA	任丙彦,刘晓平,许颖,王敏花,&廖显伯.(2007).HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能.太阳能学报,28(5),504-507.
MLA	任丙彦,et al."HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能".太阳能学报 28.5(2007):504-507.