非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象

	非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象
	赵德刚
刊名	半导体学报
	2007
卷号	28 期号:6 页码:878-882
中文摘要	研究了MOCVD方法制备的非故意掺杂n型GaN薄膜的持续光电导现象，实验发现样品的光电导与入射光强有密切的关系，当入射光强由弱到强变化时，样品会依次出现正常持续光电导（PPC）、负光电导（NPC）和负持续光电导（NPPC）现象。据知，这是首次在一个样品中仅仅通过改变入射光强就可以依次产生以上现象的实验报道，通过系统的实验分析和理论研究认为，该现象形成的主要原因是材料中深能级电子陷阱和空穴陷阱共同作用的结果。
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16249]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	赵德刚. 非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象[J]. 半导体学报,2007,28(6):878-882.
APA	赵德刚.(2007).非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象.半导体学报,28(6),878-882.
MLA	赵德刚."非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象".半导体学报 28.6(2007):878-882.