掺Sn的In_20_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响

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	掺Sn的In_20_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响
	陈瑶 ; 周玉琴 ; 张群芳 ; 朱美芳 ; 刘丰珍 ; 刘金龙 ; 陈诺夫
刊名	半导体学报
	2007
卷号	28 期号:6 页码:883-886
中文摘要	采用反应热蒸发法制备掺sn的In_20_3（ITO）透明导电膜，系统研究了ITO薄膜生长的优先取向对其光电性能的影响，结果表明，ITO薄膜（400）取向的优先生长对其透过率影响很小，但可明显增加载流子迁移率，从而有效降低了薄膜的方块电阻。在两个相同的薄膜硅／单晶硅太阳能电池上分别沉积（222）和（400）ITO优先取向膜，光电转换效率分别为10．3％和12．9％，表明（400）取向更有利于提高电池效率。经优化，最佳衬底温度（T_s）为225℃，最佳氧流量（fo_2）为4sccm。在优化的沉积条件下制备ITO薄膜，其电阻率可达到4.8x10~(-4)Ω·cm，可见波段的透过率大于90％，性能指数为3.8×10~(-2)□/Ω。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16247]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈瑶,周玉琴,张群芳,等. 掺Sn的In_20_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响[J]. 半导体学报,2007,28(6):883-886.
APA	陈瑶.,周玉琴.,张群芳.,朱美芳.,刘丰珍.,...&陈诺夫.(2007).掺Sn的In_20_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响.半导体学报,28(6),883-886.
MLA	陈瑶,et al."掺Sn的In_20_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响".半导体学报 28.6(2007):883-886.