纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性

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	纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性
	申继伟 ; 郭亨群 ; 曾友华 ; 吕蓬 ; 王启明
刊名	半导体技术
	2007
卷号	32 期号:9 页码:820-823
中文摘要	为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料.利用红外光谱(IR)、X射线衍射谱(XRD)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),对不同工艺条件下薄膜样品的成分、结构和发光特性进行研究,发现在制备的富硅氮化硅薄膜材料中形成了纳米硅颗粒,并计算出其平均尺寸.在510 nm光激发下,观察到纳米硅发光峰,对样品发光机制进行了讨论,认为其较强的发光起因于缺陷态和纳米硅发光.
英文摘要	为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料.利用红外光谱(IR)、X射线衍射谱(XRD)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),对不同工艺条件下薄膜样品的成分、结构和发光特性进行研究,发现在制备的富硅氮化硅薄膜材料中形成了纳米硅颗粒,并计算出其平均尺寸.在510 nm光激发下,观察到纳米硅发光峰,对样品发光机制进行了讨论,认为其较强的发光起因于缺陷态和纳米硅发光.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:01:34导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4012.pdf: 274049 bytes, checksum: 5d2431ffb4ad75152fa82f229e6b0b36 (MD5) Previous issue date: 2007; 国家自然科学基金(6 678 53),国家自然科学基金重点资助项目(6 336 1 ); 华侨大学,信息科学与工程学院;中国科学院,半导体研究所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金(6 678 53),国家自然科学基金重点资助项目(6 336 1 )
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16239]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	申继伟,郭亨群,曾友华,等. 纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性[J]. 半导体技术,2007,32(9):820-823.
APA	申继伟,郭亨群,曾友华,吕蓬,&王启明.(2007).纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性.半导体技术,32(9),820-823.
MLA	申继伟,et al."纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性".半导体技术 32.9(2007):820-823.