GaAs光电阴极在不同强度光照下的稳定性

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GaAs光电阴极在不同强度光照下的稳定性
	邹继军 ; 常本康 ; 杨智 ; 高频 ; 乔建良 ; 曾一平
刊名	物理学报
	2007
卷号	56 期号:10 页码:6109-6113
中文摘要	利用多信息量测试系统分别测试了反射式GaAs光电阴极激活后在0(无光照),33和100 lx白光照射情况下阴极的光电流衰减变化曲线,计算得到其寿命分别为320,160和75 min,阴极稳定性随光照强度的增加而降低,测试了只有光照(100 lx)而无光电流流过阴极时阴极的寿命为100 min.通过比较发现光照比光电流对阴极稳定性的影响更大.还测试了阴极在33 lx光照下量子效率曲线随时间的衰减,发现阴极低能光子的量子效率下降速度更快,导致量子效率曲线形状不断发生变化.基于修正后的反射式阴极量子效率公式对这种变化进行了理论分析,发现与光电子的谷间散射和阴极衰减过程中表面势垒形状的变化有关.
英文摘要	利用多信息量测试系统分别测试了反射式GaAs光电阴极激活后在0(无光照),33和100 lx白光照射情况下阴极的光电流衰减变化曲线,计算得到其寿命分别为320,160和75 min,阴极稳定性随光照强度的增加而降低,测试了只有光照(100 lx)而无光电流流过阴极时阴极的寿命为100 min.通过比较发现光照比光电流对阴极稳定性的影响更大.还测试了阴极在33 lx光照下量子效率曲线随时间的衰减,发现阴极低能光子的量子效率下降速度更快,导致量子效率曲线形状不断发生变化.基于修正后的反射式阴极量子效率公式对这种变化进行了理论分析,发现与光电子的谷间散射和阴极衰减过程中表面势垒形状的变化有关.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:01:29导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4000.pdf: 369096 bytes, checksum: 452d49122ce990e76ff7f2df594d1f19 (MD5) Previous issue date: 2007; 国家自然科学基金(批准号:6 678 43),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:2 5 288 1 )资助的课题; 南京理工大学电子工程与光电技术学院;中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金(批准号:6 678 43),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:2 5 288 1 )资助的课题
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16215]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	邹继军,常本康,杨智,等. GaAs光电阴极在不同强度光照下的稳定性[J]. 物理学报,2007,56(10):6109-6113.
APA	邹继军,常本康,杨智,高频,乔建良,&曾一平.(2007).GaAs光电阴极在不同强度光照下的稳定性.物理学报,56(10),6109-6113.
MLA	邹继军,et al."GaAs光电阴极在不同强度光照下的稳定性".物理学报 56.10(2007):6109-6113.