重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响

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	重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响
	薛春来; 成步文
刊名	物理学报
	2007
卷号	56 期号:11 页码:6654-6659
中文摘要	硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGe HBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B的引入还会部分补偿Ge引起的应变,从而改变应变引起的带隙变化.在重掺B的应变SiGe能带结构研究中,采用半经验方法,考虑了B的应变补偿作用对能带的影响,对Jain-Roulston模型进行修正,并分析了重掺杂引起的带隙收缩在导带和价带的分布.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家高技术研究发展计划(批准号:2 6AA 3Z415),国家重点基础研究发展规划(批准号:2 6CB3 28 2和2 7CB6134 4),国家自然科学基金 (批准号:6 336 1 ,6 676 5) 资助的课题
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16179]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	薛春来,成步文. 重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响[J]. 物理学报,2007,56(11):6654-6659.
APA	薛春来,&成步文.(2007).重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响.物理学报,56(11),6654-6659.
MLA	薛春来,et al."重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响".物理学报 56.11(2007):6654-6659.