AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器 | |
杨翠柏![]() ![]() ![]() ![]() | |
刊名 | 半导体学报
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2008 | |
卷号 | 29期号:1页码:153-156 |
中文摘要 | 通过溅射的方法制作了Pt/AIGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应.研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H_2(N_2气中)的响应,计算了器件的灵敏度;并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢;空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用;最后由热电子发射公式计算了器件在通人10%的氢气前后有效势垒高度的变化. |
英文摘要 | 通过溅射的方法制作了Pt/AIGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应.研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H_2(N_2气中)的响应,计算了器件的灵敏度;并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢;空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用;最后由热电子发射公式计算了器件在通人10%的氢气前后有效势垒高度的变化.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:01:11导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3943.pdf: 663701 bytes, checksum: 78be8292506612bfab925db0ebfe27d9 (MD5) Previous issue date: 2008; 国家自然科学基金资助项目(批准号;6 576 46); 中国科学院半导体研究所 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家自然科学基金资助项目(批准号;6 576 46) |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-28 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16137] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨翠柏,王保柱,肖红领,等. AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器[J]. 半导体学报,2008,29(1):153-156. |
APA | 杨翠柏,王保柱,肖红领,&冯春.(2008).AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器.半导体学报,29(1),153-156. |
MLA | 杨翠柏,et al."AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器".半导体学报 29.1(2008):153-156. |
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