InGaAs/GaAs量子点红外探测器

	InGaAs/GaAs量子点红外探测器
	杨涛; 马文全; 陈良惠; 苏艳梅
刊名	红外与激光工程
	2008
卷号	37 期号:1 页码:34-36
中文摘要	与量子阱红外探测器相比,量子点红外探测器具有不制作表面光栅就能在垂直入射红外光照射下工作以及工作温度更高等优势.然而,目前阻碍量子点红外探测器性能提高的技术瓶颈主要来自组装量子点较差的大小均匀性、较低的量子点密度以及垂直入射下子带跃迁吸收效率低等原因.利用分子束外延技术研究了如何从量子点材料生长和器件设计两方面来克服这些困难,并且制作了几种不同结构的InGaAs/GaAs量子点红外探测器.在77K时,这些器件在垂直入射条件下观察到了很强的光电流信号.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	航天三院科技创新基金资助项目(HT3Y83582 5)
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16097]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	杨涛,马文全,陈良惠,等. InGaAs/GaAs量子点红外探测器[J]. 红外与激光工程,2008,37(1):34-36.
APA	杨涛,马文全,陈良惠,&苏艳梅.(2008).InGaAs/GaAs量子点红外探测器.红外与激光工程,37(1),34-36.
MLA	杨涛,et al."InGaAs/GaAs量子点红外探测器".红外与激光工程 37.1(2008):34-36.