60%电光效率高功率激光二极管阵列

	60%电光效率高功率激光二极管阵列
	张广泽; 刘媛媛; 王俊; 王俊
刊名	中国激光
	2008
卷号	35 期号:9 页码:1323-1327
中文摘要	设计并制备了980 nm高量子效率和极低光损耗的激光二极管(LD)外延材料和器件。微通道封装1 cm激光二极管阵列在连续(CW)工作条件下最大电光效率达到60.0%,相应的斜率效率和输出光功率分别为1.1 W/A和38.2 W。测试得到外延材料的内损耗系数和内量子效率分别为0.58 cm~(-1)和91.6%。测试分析表明,器件电光效率的提高主要在于新型的InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱和大光腔结构设计。
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金(914 A 2 114 6ZK 3)资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15927]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	张广泽,刘媛媛,王俊,等. 60%电光效率高功率激光二极管阵列[J]. 中国激光,2008,35(9):1323-1327.
APA	张广泽,刘媛媛,王俊,&王俊.(2008).60%电光效率高功率激光二极管阵列.中国激光,35(9),1323-1327.
MLA	张广泽,et al."60%电光效率高功率激光二极管阵列".中国激光 35.9(2008):1323-1327.