nc-Si／SiN_x超晶格薄膜实现Nd

	nc-Si／SiN_x超晶格薄膜实现Nd
	王国立 ; 郭亨群 ; 苏培林 ; 张春华 ; 王启明 ; 徐骏 ; 陈坤基
刊名	发光学报
	2008
卷号	29 期号:5 页码:905-909
中文摘要	采用射频磁控反应溅射法制备a—Si／SiN。超晶格薄膜材料，热退火后形成纳米Si晶粒。把nc—Si／SiN，薄膜作为饱和吸收体插入Nd
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金（6 678 53）,国家自然科学基金重点（6 336 1 ）,国家重点基础研究发展“973”计划（2 7CB6134 1）资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15921]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王国立,郭亨群,苏培林,等. nc-Si／SiN_x超晶格薄膜实现Nd[J]. 发光学报,2008,29(5):905-909.
APA	王国立.,郭亨群.,苏培林.,张春华.,王启明.,...&陈坤基.(2008).nc-Si／SiN_x超晶格薄膜实现Nd.发光学报,29(5),905-909.
MLA	王国立,et al."nc-Si／SiN_x超晶格薄膜实现Nd".发光学报 29.5(2008):905-909.