单光子源低密度长波长InAs/GaAs量子点的制备
牛智川
刊名功能材料与器件学报
2008
卷号14期号:5页码:915-918
中文摘要通过优化分子束外延生长条件,得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs/GaAs量子点。使用极低的InAs生长速率(0.001单层/秒)可以把量子点的密度降低到4×10~6cm~(-2)。这些结果使得InAs/GaAs量子点可以作为单光子源应用在未来的光纤基量子密码、量子通信中。
学科主题半导体物理
收录类别CSCD
资助信息中国博士后科学基金资助项目(No.2 6 39 385)
语种中文
公开日期2010-11-23
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15919]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
牛智川. 单光子源低密度长波长InAs/GaAs量子点的制备[J]. 功能材料与器件学报,2008,14(5):915-918.
APA 牛智川.(2008).单光子源低密度长波长InAs/GaAs量子点的制备.功能材料与器件学报,14(5),915-918.
MLA 牛智川."单光子源低密度长波长InAs/GaAs量子点的制备".功能材料与器件学报 14.5(2008):915-918.
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