单光子源低密度长波长InAs/GaAs量子点的制备 | |
牛智川![]() | |
刊名 | 功能材料与器件学报
![]() |
2008 | |
卷号 | 14期号:5页码:915-918 |
中文摘要 | 通过优化分子束外延生长条件,得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs/GaAs量子点。使用极低的InAs生长速率(0.001单层/秒)可以把量子点的密度降低到4×10~6cm~(-2)。这些结果使得InAs/GaAs量子点可以作为单光子源应用在未来的光纤基量子密码、量子通信中。 |
学科主题 | 半导体物理 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 中国博士后科学基金资助项目(No.2 6 39 385) |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15919] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛智川. 单光子源低密度长波长InAs/GaAs量子点的制备[J]. 功能材料与器件学报,2008,14(5):915-918. |
APA | 牛智川.(2008).单光子源低密度长波长InAs/GaAs量子点的制备.功能材料与器件学报,14(5),915-918. |
MLA | 牛智川."单光子源低密度长波长InAs/GaAs量子点的制备".功能材料与器件学报 14.5(2008):915-918. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论