一种利用光电流和光透过曲线测量电吸收调制器插入损耗因素的方法
王圩; 潘教青; 张云霄
刊名物理学报
2009
卷号58期号:5页码:3135-3139
中文摘要提出一种新颖的方法用于测量电吸收调制器(electroabsorption modulator,EAM)各种因素造成的插入损耗.此方法仅需要测量波长相关的光电流(Iph-λ)和光透过功率(P-λ)的数据,通过最小二乘法拟合出结果.理论分析表明此方法较精确,实验表明测试结果与理论拟合结果自洽得很好.
学科主题光电子学
收录类别CSCD
资助信息国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划(973计划)
语种中文
公开日期2010-11-23
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15835]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
王圩,潘教青,张云霄. 一种利用光电流和光透过曲线测量电吸收调制器插入损耗因素的方法[J]. 物理学报,2009,58(5):3135-3139.
APA 王圩,潘教青,&张云霄.(2009).一种利用光电流和光透过曲线测量电吸收调制器插入损耗因素的方法.物理学报,58(5),3135-3139.
MLA 王圩,et al."一种利用光电流和光透过曲线测量电吸收调制器插入损耗因素的方法".物理学报 58.5(2009):3135-3139.
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