GaAs基短周期InAs/GaSb超晶格红外探测器研究 | |
牛智川![]() | |
刊名 | 红外与毫米波学报
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2009 | |
卷号 | 28期号:3页码:165-167 |
中文摘要 | 采用分子束外延(MBE)方法,在(001)GaAs衬底上生长了短周期Ⅱ型超晶格(SLs):InAs/GaSb (2ML/8ML)和InAs/GaSb (8ML/8ML).从X射线衍射(HRXRD)中计算出超晶格周期分别为31.2(A)和57.3(A).室温红外透射光谱表明两种超晶格结构在短波2.1μm和中波5μm处有明显吸收.通过腐蚀、光刻和欧姆接触,制备了短波和中波的单元光导探测器.在室温和低温下进行光谱响应测试和黑体测试,77K下,50%截止波长分别为2.1μm和5.0μm,黑体探测率D~·_(bb)均超过2×10~8cmHz~(1/2)/W.室温下短波探测器D~·_(bb)超过10~8cmHz~(1/2)/W. |
学科主题 | 半导体物理 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家自然科学基金 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15823] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛智川. GaAs基短周期InAs/GaSb超晶格红外探测器研究[J]. 红外与毫米波学报,2009,28(3):165-167. |
APA | 牛智川.(2009).GaAs基短周期InAs/GaSb超晶格红外探测器研究.红外与毫米波学报,28(3),165-167. |
MLA | 牛智川."GaAs基短周期InAs/GaSb超晶格红外探测器研究".红外与毫米波学报 28.3(2009):165-167. |
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