轫致辐射X光源初步研究

	轫致辐射X光源初步研究
	顾小冯; 罗小为; 戴建枰
刊名	核技术
	2009
期号	11 页码:806-812
关键词	微型X光源轫致辐射光子产额光子产生率
其他题名	Bremsstrahlung mechanism application on mini X-ray source
通讯作者	顾小冯
中文摘要	对高能电子打薄靶和低能电子打厚靶两种不同轫致辐射方式的微型轫致辐射光源进行了研究。推导并比较了两种方式的单位电子光子产生率,给出了提高光子产额的方法。以BFEL直线加速器为平台,利用高能电子薄靶的轫致辐射光进行X光成像实验,研究薄靶对电子束流参数的影响,并对轫致辐射微型X光源的特性进行了讨论。
公开日期	2016-02-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/217716]
专题	高能物理研究所_加速器中心
推荐引用方式 GB/T 7714	顾小冯,罗小为,戴建枰. 轫致辐射X光源初步研究[J]. 核技术,2009(11):806-812.
APA	顾小冯,罗小为,&戴建枰.(2009).轫致辐射X光源初步研究.核技术(11),806-812.
MLA	顾小冯,et al."轫致辐射X光源初步研究".核技术 .11(2009):806-812.