带非吸收窗口的大功率657 nm半导体激光器

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	带非吸收窗口的大功率657 nm半导体激光器
	林涛 ; 段玉鹏 ; 郑凯 ; 崇峰 ; 马骁宇
刊名	中国激光
	2009
卷号	36 期号:1 页码:104-109
中文摘要	在激光器腔面处制作非吸收窗口(NAW)可以有效地减少光吸收,防止激光器过早出现光学灾变损伤(COD),是提高大功率半导体激光器的功率特性的重要手段之一.采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术二次外延生长了大功率657 nm红光半导体激光器结构,通过闭管扩散Zn的方法在腔面附近制作了非吸收窗口.实验发现扩散温度550 ℃,扩散时间20 min时,得到的非吸收窗口最为有效,激光器连续工作的无扭折输出功率大于100 mW,超过常规的无窗口结构激光器的最大输出功率的两倍,激光器的斜率效率提高了23%.测量该类器件的温度特性发现,环境温度为20～70 ℃时,其输出功率均可大于50 mW,计算得到激光器的特征温度约为89 K,波长增加率约为0.24 nm/℃.
英文摘要	在激光器腔面处制作非吸收窗口(NAW)可以有效地减少光吸收,防止激光器过早出现光学灾变损伤(COD),是提高大功率半导体激光器的功率特性的重要手段之一.采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术二次外延生长了大功率657 nm红光半导体激光器结构,通过闭管扩散Zn的方法在腔面附近制作了非吸收窗口.实验发现扩散温度550 ℃,扩散时间20 min时,得到的非吸收窗口最为有效,激光器连续工作的无扭折输出功率大于100 mW,超过常规的无窗口结构激光器的最大输出功率的两倍,激光器的斜率效率提高了23%.测量该类器件的温度特性发现,环境温度为20～70 ℃时,其输出功率均可大于50 mW,计算得到激光器的特征温度约为89 K,波长增加率约为0.24 nm/℃.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:00:05导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3712.pdf: 661712 bytes, checksum: 7c8c2ddb0961b23d587c769cd4b69559 (MD5) Previous issue date: 2009; 中国博士后科学基金; 西安理工大学电子工程系;西北大学物理系;中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
资助信息	中国博士后科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15785]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	林涛,段玉鹏,郑凯,等. 带非吸收窗口的大功率657 nm半导体激光器[J]. 中国激光,2009,36(1):104-109.
APA	林涛,段玉鹏,郑凯,崇峰,&马骁宇.(2009).带非吸收窗口的大功率657 nm半导体激光器.中国激光,36(1),104-109.
MLA	林涛,et al."带非吸收窗口的大功率657 nm半导体激光器".中国激光 36.1(2009):104-109.