量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性

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	量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性
	韩勤; 杨晓红
刊名	光子学报
	2009
卷号	38 期号:5 页码:1074-1079
中文摘要	通过测量1.55 μm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电流随反向电压和光功率的变化关系,以及模拟能带结构、电场分布等特性,研究了量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性.分析了光电流的产生机制,测量了1.064 μm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应,模拟了具有不同势垒高度的量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应.从实验和模拟两方面证明了量子阱的势垒高度是影响量子阱共振腔增强型光电探测器高功率特性的最主要因素.
英文摘要	通过测量1.55 μm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电流随反向电压和光功率的变化关系,以及模拟能带结构、电场分布等特性,研究了量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性.分析了光电流的产生机制,测量了1.064 μm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应,模拟了具有不同势垒高度的量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应.从实验和模拟两方面证明了量子阱的势垒高度是影响量子阱共振腔增强型光电探测器高功率特性的最主要因素.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:00:04导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3707.pdf: 781535 bytes, checksum: f2838e3e626758e7c5e221114e8b5290 (MD5) Previous issue date: 2009; 中国高技术研究与发展计划,中国重点基础研究发展计划; 中国科学院半导体研究所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	中国高技术研究与发展计划,中国重点基础研究发展计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15777]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	韩勤,杨晓红. 量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性[J]. 光子学报,2009,38(5):1074-1079.
APA	韩勤,&杨晓红.(2009).量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性.光子学报,38(5),1074-1079.
MLA	韩勤,et al."量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性".光子学报 38.5(2009):1074-1079.