InAs/GaSb Ⅱ型超晶格的拉曼和光致发光光谱

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	InAs/GaSb Ⅱ型超晶格的拉曼和光致发光光谱
	牛智川; 徐应强
刊名	红外与激光工程
	2009
卷号	38 期号:2 页码:278-281
中文摘要	采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb(100)衬底上外延生长晶体结构完整和表面平整的Ⅱ型超晶格InAs(1.2 am)/GaSb(2.4 am).拉曼光谱表明:随着温度从70 K升高至室温,由于热膨胀作用和光声子散射过程中的衰减,超晶格纵光学声子拉曼频移向低波数方向移动5 cm~(-1),频移温度系数约为0.023 cm~(-1)/K.光致发光(PL)峰在2.4～2.8 μm,由带间辐射复合和束缚激子复合构成,2.55 μm PL峰随温度变化(15～150 K)发生微小红移,超晶格中InAs电子带与GaSb空穴带带间距随温度变化比体材料的禁带宽度小.PL发光强度在15～50 K随温度升高而升高,在60～150 K则相反,并在不同温度段表现出不同的温度依赖关系.
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15773]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	牛智川,徐应强. InAs/GaSb Ⅱ型超晶格的拉曼和光致发光光谱[J]. 红外与激光工程,2009,38(2):278-281.
APA	牛智川,&徐应强.(2009).InAs/GaSb Ⅱ型超晶格的拉曼和光致发光光谱.红外与激光工程,38(2),278-281.
MLA	牛智川,et al."InAs/GaSb Ⅱ型超晶格的拉曼和光致发光光谱".红外与激光工程 38.2(2009):278-281.