InAs量子环中类氢杂质能级

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	InAs量子环中类氢杂质能级
	郑文礼 ; 李志文 ; 王雪峰
刊名	光谱学与光谱分析
	2009
卷号	29 期号:3 页码:607-610
中文摘要	在有效质量近似下,利用微扰法研究了InAs量子环内类氢杂质基态及低激发态的能级分布.受限势采用抛物形势,在二维平面极坐标下,用薛定谔方程的精确解析解进行计算.数值计算结果显示,电子能级敏感地依赖于量子环半径,能级存在极小值,这是由于限制势采用抛物势的结果.如果减小环的半径,可以增加能级间距.第一激发态类氢杂质能级的简并没有消除,n≥2时简并的能级发生分裂并且间距随半径的增大而增大.电子能级间距还敏感地依赖于角频率并随角频率的增大而增大.第一激发态的简并没有消除,第二激发态的简并被部分地消除.在计算InAs量子环中类氢杂质的基态和低激发态的能级时,角频率改变的影响也是很深刻的.文章结果对研究量子环的光跃迁及光谱结构有重要指导意义.
英文摘要	在有效质量近似下,利用微扰法研究了InAs量子环内类氢杂质基态及低激发态的能级分布.受限势采用抛物形势,在二维平面极坐标下,用薛定谔方程的精确解析解进行计算.数值计算结果显示,电子能级敏感地依赖于量子环半径,能级存在极小值,这是由于限制势采用抛物势的结果.如果减小环的半径,可以增加能级间距.第一激发态类氢杂质能级的简并没有消除,n≥2时简并的能级发生分裂并且间距随半径的增大而增大.电子能级间距还敏感地依赖于角频率并随角频率的增大而增大.第一激发态的简并没有消除,第二激发态的简并被部分地消除.在计算InAs量子环中类氢杂质的基态和低激发态的能级时,角频率改变的影响也是很深刻的.文章结果对研究量子环的光跃迁及光谱结构有重要指导意义.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 12:59:36导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T04:59:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3612.pdf: 467338 bytes, checksum: e8179b8e931a69e9ace9ca07b930ab3f (MD5) Previous issue date: 2009; 国家自然科学基金; 承德民族师范高等专科学校物理系;中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15637]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	郑文礼,李志文,王雪峰. InAs量子环中类氢杂质能级[J]. 光谱学与光谱分析,2009,29(3):607-610.
APA	郑文礼,李志文,&王雪峰.(2009).InAs量子环中类氢杂质能级.光谱学与光谱分析,29(3),607-610.
MLA	郑文礼,et al."InAs量子环中类氢杂质能级".光谱学与光谱分析 29.3(2009):607-610.