InAs 单量子点精细结构光谱

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	InAs 单量子点精细结构光谱
	李文生 ; 孙宝权
刊名	发光学报
	2009
卷号	30 期号:6 页码:812-817
中文摘要	在5 K下,采用光致发光光谱和时间分辨光谱研究了不同单量子点的精细结构和对应发光光谱的偏振性、单激子/双激子发光光谱和相应发光动力学.给出InAs单量子点发光光谱所对应能级的精细结构及激子本征态的偏振特性.当精细结构能级劈裂为零时, 激子的本征态为简并的圆偏振态.而当精细结构能级劈裂大于零时,一般在几十到几百μeV,激子的本征态为非简并的线偏振态.相对于单激子发光寿命,激子-激子间的散射使单激子的复合发光寿命减小.
英文摘要	在5 K下,采用光致发光光谱和时间分辨光谱研究了不同单量子点的精细结构和对应发光光谱的偏振性、单激子/双激子发光光谱和相应发光动力学.给出InAs单量子点发光光谱所对应能级的精细结构及激子本征态的偏振特性.当精细结构能级劈裂为零时, 激子的本征态为简并的圆偏振态.而当精细结构能级劈裂大于零时,一般在几十到几百μeV,激子的本征态为非简并的线偏振态.相对于单激子发光寿命,激子-激子间的散射使单激子的复合发光寿命减小.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 12:59:34导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T04:59:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3605.pdf: 673971 bytes, checksum: 2b269fec8bbb58c4a4bb2f033e97bb0f (MD5) Previous issue date: 2009; 国家自然科学基金; 通辽职业学院,生物化工系;中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15627]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	李文生,孙宝权. InAs 单量子点精细结构光谱[J]. 发光学报,2009,30(6):812-817.
APA	李文生,&孙宝权.(2009).InAs 单量子点精细结构光谱.发光学报,30(6),812-817.
MLA	李文生,et al."InAs 单量子点精细结构光谱".发光学报 30.6(2009):812-817.