一种上转换荧光材料的制备方法 | |
谷战军; 田甘; 赵宇亮 | |
2011-09-02 | |
专利号 | CN102977887A |
公开日期 | 2013-03-20 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/211083] |
专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 谷战军,田甘,赵宇亮. 一种上转换荧光材料的制备方法. CN102977887A. 2011-09-02. |
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