介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征

	介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征
	王巧占; 于润升; 秦秀波; 李玉晓; 王宝义; 贾全杰
刊名	物理学报
	2009
期号	12 页码:8478-8483
关键词	同步辐射 X射线反射率 Doppler展宽正电子素飞行时间谱
其他题名	Pore structure determination of mesoporous SiO2 thin films by slow positron annihilation spectroscopy
中文摘要	通过蒸发诱导自组装技术制备了具有不同有序结构的介孔SiO2薄膜,并采用同步辐射X射线反射率以及慢正电子束流技术对其进行表征.实验结果表明,随着旋涂速率的增加,介孔结构由三维立方向二维六角结构转变,同时平均孔隙率随转速增加而减小.利用各向同性无机孔收缩模型和Fourier变换红外光谱,探讨了薄膜结构和正电子湮没参数的内在联系.
公开日期	2016-02-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222738]
专题	高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式 GB/T 7714	王巧占,于润升,秦秀波,等. 介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征[J]. 物理学报,2009(12):8478-8483.
APA	王巧占,于润升,秦秀波,李玉晓,王宝义,&贾全杰.(2009).介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征.物理学报(12),8478-8483.
MLA	王巧占,et al."介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征".物理学报 .12(2009):8478-8483.