微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究

	微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究
	周炳卿; 刘丰珍; 朱美芳; 周玉琴; 吴忠华; 陈兴
刊名	物理学报
	2007
期号	4 页码:2422-2427
关键词	X射线掠角反射微晶硅薄膜表面粗糙度生长机制
其他题名	Studies on surface roughness and growth mechanisms of microcrystalline silicon films by grazing incidence X-ray reflectivity
中文摘要	采用等离子体增强化学气相沉积技术沉积一系列处于不同生长阶段的微晶硅薄膜.通过同步辐射X射线掠角反射技术研究微晶硅薄膜的表面粗糙度随时间等的演化,探讨微晶硅薄膜的生长动力学过程及其生长机制.研究结果表明,在衬底温度为200℃,电极间距为2cm,沉积气压为6.66×102Pa,射频功率密度为0.22W/cm2,氢稀释度分别为99%和98%的沉积条件下,在玻璃衬底上生长的微晶硅薄膜生长指数β分别为0.21±0.01和0.24±0.01.根据KPZ模型,微晶硅薄膜的生长机制为有限扩散生长.
公开日期	2016-02-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222556]
专题	高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式 GB/T 7714	周炳卿,刘丰珍,朱美芳,等. 微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究[J]. 物理学报,2007(4):2422-2427.
APA	周炳卿,刘丰珍,朱美芳,周玉琴,吴忠华,&陈兴.(2007).微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究.物理学报(4),2422-2427.
MLA	周炳卿,et al."微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究".物理学报 .4(2007):2422-2427.