快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究

	快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究
	李养贤; 杨帅; 陈贵峰; 马巧云; 牛萍娟; 陈东风; 李洪涛; 王宝义
刊名	物理学报
	2005
期号	4 页码:1783-1787
关键词	快中子辐照空位型缺陷受主施主
其他题名	Investigation of the acceptor and donor in fast neutron irradiated Czochralski silicon
中文摘要	通过傅里叶红外光谱、正电子湮没寿命谱和Hall技术研究了高剂量快中子辐照直拉硅的辐照缺陷、电阻率、载流子迁移率、载流子浓度随退火温度的变化 .经快中子辐照 ,直拉硅样品的导电类型由n型转变为p型 .在 4 5 0和6 0 0℃热处理出现两种受主中心 ,分别由V2 O2 ,V2 O ,VO2 ,V O V及V4 型缺陷引起 ,这些缺陷态的出现使得样品中空穴浓度迅速增加 ;大于 6 5 0℃热处理这些受主态缺陷迅速消失 ,样品的载流子迁移率及载流子类型开始恢复 ,并出现一种与辐照相关的施主态缺陷 ,导致样品的电子浓度增加 ,电阻率迅速下降 .这种施主态缺陷的浓度在 75 0℃热处理达到最大 ,并在...
公开日期	2016-02-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222329]
专题	高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式 GB/T 7714	李养贤,杨帅,陈贵峰,等. 快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究[J]. 物理学报,2005(4):1783-1787.
APA	李养贤.,杨帅.,陈贵峰.,马巧云.,牛萍娟.,...&王宝义.(2005).快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究.物理学报(4),1783-1787.
MLA	李养贤,et al."快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究".物理学报 .4(2005):1783-1787.