快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究 | |
李养贤; 杨帅; 陈贵峰; 马巧云; 牛萍娟; 陈东风; 李洪涛; 王宝义![]() | |
刊名 | 物理学报
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2005 | |
期号 | 4页码:1783-1787 |
关键词 | 快中子辐照 空位型缺陷 受主 施主 |
其他题名 | Investigation of the acceptor and donor in fast neutron irradiated Czochralski silicon |
中文摘要 | 通过傅里叶红外光谱、正电子湮没寿命谱和Hall技术研究了高剂量快中子辐照直拉硅的辐照缺陷、电阻率、载流子迁移率、载流子浓度随退火温度的变化 .经快中子辐照 ,直拉硅样品的导电类型由n型转变为p型 .在 4 5 0和6 0 0℃热处理出现两种受主中心 ,分别由V2 O2 ,V2 O ,VO2 ,V O V及V4 型缺陷引起 ,这些缺陷态的出现使得样品中空穴浓度迅速增加 ;大于 6 5 0℃热处理这些受主态缺陷迅速消失 ,样品的载流子迁移率及载流子类型开始恢复 ,并出现一种与辐照相关的施主态缺陷 ,导致样品的电子浓度增加 ,电阻率迅速下降 .这种施主态缺陷的浓度在 75 0℃热处理达到最大 ,并在... |
公开日期 | 2016-02-25 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222329] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李养贤,杨帅,陈贵峰,等. 快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究[J]. 物理学报,2005(4):1783-1787. |
APA | 李养贤.,杨帅.,陈贵峰.,马巧云.,牛萍娟.,...&王宝义.(2005).快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究.物理学报(4),1783-1787. |
MLA | 李养贤,et al."快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究".物理学报 .4(2005):1783-1787. |
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