利用紫外光刻技术进行SU8胶的研究

	利用紫外光刻技术进行SU8胶的研究
	伊福廷; 张菊芳; 彭良强; 韩勇
刊名	微纳电子技术
	2003
期号	Z1 页码:126-128+141
关键词	MEMS 微结构 SU8 光刻
其他题名	The research of SU8 resist using UV lithography
通讯作者	伊福廷
中文摘要	SU 8光刻胶优异的性能在MEMS技术的发展重得到了广泛的应用 ,已经成为MEMS研究中必不可少的方法之一。SU 8光刻胶能够进行厚度达毫米的结构研究工作 ,另一方面SU 8结构具有很好的侧面垂直结构 ,通过控制工艺参数 ,能够获得满意的SU 8胶结构。SU 8光刻胶已应用于LIGA技术的标准化掩模制造工艺和一些器件的研究工作。在SU8胶研究过程中 ,克服了许多技术难题 ,使得这一技术能够应用到实际的需要中。
公开日期	2016-02-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222067]
专题	高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式 GB/T 7714	伊福廷,张菊芳,彭良强,等. 利用紫外光刻技术进行SU8胶的研究[J]. 微纳电子技术,2003(Z1):126-128+141.
APA	伊福廷,张菊芳,彭良强,&韩勇.(2003).利用紫外光刻技术进行SU8胶的研究.微纳电子技术(Z1),126-128+141.
MLA	伊福廷,et al."利用紫外光刻技术进行SU8胶的研究".微纳电子技术 .Z1(2003):126-128+141.