低温生长的Ge/Si超晶格界面结构的X射线散射研究(英文)

	低温生长的Ge/Si超晶格界面结构的X射线散射研究(英文)
	吴小山; 谭伟石; 蒋树声; 吴忠华; 丁永凡; 曾鸿祥
刊名	高能物理与核物理
	2003
期号	8 页码:739-743
关键词	同步辐射X射线镜面反射和散射 Ge/Si超晶格低温分子束外延生长
其他题名	MICROSTRUCTURES OF Ge/Si SUPERLATTICES GROWTN AT LOW TEMPERATURE
中文摘要	低温下用MBE方法生长了Ge/Si超晶格,X射线反射及横向散射研究表明,Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称,下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构,这种组分结构可以用一平均成分的SiGe合金层加以拟合,从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度,旋转样品进行的X射线散射研究表明,这种SiGe的混合是各向同性的,这与透射电子显微镜的研究结构相一致。
公开日期	2016-02-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222018]
专题	高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式 GB/T 7714	吴小山,谭伟石,蒋树声,等. 低温生长的Ge/Si超晶格界面结构的X射线散射研究(英文)[J]. 高能物理与核物理,2003(8):739-743.
APA	吴小山,谭伟石,蒋树声,吴忠华,丁永凡,&曾鸿祥.(2003).低温生长的Ge/Si超晶格界面结构的X射线散射研究(英文).高能物理与核物理(8),739-743.
MLA	吴小山,et al."低温生长的Ge/Si超晶格界面结构的X射线散射研究(英文)".高能物理与核物理 .8(2003):739-743.