不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究

	不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究
	郭红霞; 陈雨生; 韩福斌; 罗剑辉; 杨善潮; 龚建成; 谢亚宁; 黄宇营; 何伟; 胡天斗
刊名	高能物理与核物理
	2003
期号	12 页码:1142-1146
关键词	静态存储器 X射线剂量增强效应同步辐射
其他题名	Study on Hard X-Rays Dose Enhancement Effects for SRAM with Different Integration
中文摘要	给出了不同集成度 16K— 4Mb随机静态存储器SRAM在钴源和北京同步辐射装置BSRF3W1白光束线辐照的实验结果 ;通过实验在线测得SRAM位错误数随总剂量的变化 ,给出相同辐照剂量时 2 0— 10 0keVX光辐照和Co60 γ射线辐照的剂量损伤效应的比例因子 ;给出集成度不同的SRAM器件抗γ射线总剂量损伤能力与集成度的关系 ;给出不同集成度SRAM器件的X射线损伤阈值 .这些结果对器件抗X射线辐射加固技术研究有重要价值 .
公开日期	2016-02-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222017]
专题	高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式 GB/T 7714	郭红霞,陈雨生,韩福斌,等. 不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究[J]. 高能物理与核物理,2003(12):1142-1146.
APA	郭红霞.,陈雨生.,韩福斌.,罗剑辉.,杨善潮.,...&胡天斗.(2003).不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究.高能物理与核物理(12),1142-1146.
MLA	郭红霞,et al."不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究".高能物理与核物理 .12(2003):1142-1146.