YVO_4晶体缺陷分析

	YVO_4晶体缺陷分析
	邹宇琦; 李新军; 徐军; 干福熹; 田玉莲; 黄万霞
刊名	人工晶体学报
	2002
期号	1 页码:14-17
关键词	YVO4晶体缺陷同步辐射白光X射线形貌术电子探针仪
其他题名	Study on Defects of YVO4 Crystal
中文摘要	运用同步辐射白光X射线形貌术分析了YVO4 的结构和缺陷行为 ,也观测了YVO4 晶体 (0 0 1)、(10 0 )面的缺陷。发现在 (0 0 1)面出现应力生长区、沿 [10 0 ]方向的位错线以及晶体中镶嵌结构。运用白光形貌术拍摄到的劳埃斑 ,证明晶体为四方晶系。确定了小角晶界是引起多晶的主要原因。采用电子探针仪分析了散射颗粒形成是由杂质铁和铝的引入造成
公开日期	2016-02-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221953]
专题	高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式 GB/T 7714	邹宇琦,李新军,徐军,等. YVO_4晶体缺陷分析[J]. 人工晶体学报,2002(1):14-17.
APA	邹宇琦,李新军,徐军,干福熹,田玉莲,&黄万霞.(2002).YVO_4晶体缺陷分析.人工晶体学报(1),14-17.
MLA	邹宇琦,et al."YVO_4晶体缺陷分析".人工晶体学报 .1(2002):14-17.