一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究

	一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究
	刘泽文; 刘理天; 伊福廷; 李志坚
刊名	微细加工技术
	2000
期号	4 页码:45-49
关键词	X射线光刻 LIGA MEMS 掩模
其他题名	Fabrication of Double Side Alignment Si LIGA;Mask
中文摘要	深X射线光刻是制作高深宽比MEMS结构的一个重要方法。提出一种基于硅工艺和双面对准技术的LIGA掩模技术 ,工艺十分简单。采用该掩模 ,可进一步解决深X射线光刻中的重复对准多次曝光问题。给出了该掩模设计制作工艺过程及深X射线光刻结果。整个过程包括沉淀氮化硅、采用KarlSuss双面对准曝光机进行UV光刻、电化学淀积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑膜等。利用该掩模在北京BEPC的X射线光刻光束线上进行曝光 ,获得了满意结果。
公开日期	2016-02-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221795]
专题	高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式 GB/T 7714	刘泽文,刘理天,伊福廷,等. 一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究[J]. 微细加工技术,2000(4):45-49.
APA	刘泽文,刘理天,伊福廷,&李志坚.(2000).一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究.微细加工技术(4),45-49.
MLA	刘泽文,et al."一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究".微细加工技术 .4(2000):45-49.