BaF_2晶体的抗辐照性能

	BaF_2晶体的抗辐照性能
	任绍霞; 张瑾; 肖红; 王亚东; 祝玉灿; 张天保
刊名	人工晶体学报
	1991
期号	Z1 页码:402
关键词	抗辐照性能 BaF_2 透过率产额 γ射线辐照辐照剂量工艺条件能量分辨率天可中子辐照
其他题名	HIGH RADIATION RESISTANCE OF BaF2 CRYSTAL
中文摘要	我们进行了小尺寸(φ30×10mm,φ25×25mm)BaF_2晶体的~(60)Coγ射线辐照实验,测量了不同工艺条件和不同辐照剂量下的BaF_2晶体的相对光电子产额,能量分辨率及紫外透过率。最大剂量到1×10~8rad,发现晶体的紫外透过率和闪烁发光性能在辐照结束后2天可恢复
公开日期	2016-02-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221192]
专题	高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式 GB/T 7714	任绍霞,张瑾,肖红,等. BaF_2晶体的抗辐照性能[J]. 人工晶体学报,1991(Z1):402.
APA	任绍霞,张瑾,肖红,王亚东,祝玉灿,&张天保.(1991).BaF_2晶体的抗辐照性能.人工晶体学报(Z1),402.
MLA	任绍霞,et al."BaF_2晶体的抗辐照性能".人工晶体学报 .Z1(1991):402.