BaF_2晶体的抗辐照性能 | |
任绍霞; 张瑾; 肖红; 王亚东; 祝玉灿; 张天保 | |
刊名 | 人工晶体学报
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1991 | |
期号 | Z1页码:402 |
关键词 | 抗辐照性能 BaF_2 透过率 产额 γ射线辐照 辐照剂量 工艺条件 能量分辨率 天可 中子辐照 |
其他题名 | HIGH RADIATION RESISTANCE OF BaF2 CRYSTAL |
中文摘要 | 我们进行了小尺寸(φ30×10mm,φ25×25mm)BaF_2晶体的~(60)Coγ射线辐照实验,测量了不同工艺条件和不同辐照剂量下的BaF_2晶体的相对光电子产额,能量分辨率及紫外透过率。最大剂量到1×10~8rad,发现晶体的紫外透过率和闪烁发光性能在辐照结束后2天可恢复 |
公开日期 | 2016-02-25 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221192] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 任绍霞,张瑾,肖红,等. BaF_2晶体的抗辐照性能[J]. 人工晶体学报,1991(Z1):402. |
APA | 任绍霞,张瑾,肖红,王亚东,祝玉灿,&张天保.(1991).BaF_2晶体的抗辐照性能.人工晶体学报(Z1),402. |
MLA | 任绍霞,et al."BaF_2晶体的抗辐照性能".人工晶体学报 .Z1(1991):402. |
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