用正电子湮没研究Al-Ni二元系的固溶体类型 | |
黄懋容; 顾华; 张予民 | |
刊名 | 核技术
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1985 | |
期号 | 8页码:14-15 |
关键词 | 二元系 正电子湮没 |
通讯作者 | 黄懋容 |
中文摘要 | Al-Ni二元系δ相理想成份为Ni_2Al_3。有文献报道,在其富Al端形成替代固溶体,而在富Ni端,Ni原子填在空缺的位置上,β相理想成份为NiAl,富Ni端形成替代式固溶体,在富Al端,形成Ni的缺位固溶体。按这样模型算出了价电子密度(D_v)和总电子密度(D_t)。计算的D_v和测得的S线型参数以及计算的D_t和测得的正电子湮没寿命τ_1分别列在图1和图2。 |
公开日期 | 2016-02-25 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220879] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄懋容,顾华,张予民. 用正电子湮没研究Al-Ni二元系的固溶体类型[J]. 核技术,1985(8):14-15. |
APA | 黄懋容,顾华,&张予民.(1985).用正电子湮没研究Al-Ni二元系的固溶体类型.核技术(8),14-15. |
MLA | 黄懋容,et al."用正电子湮没研究Al-Ni二元系的固溶体类型".核技术 .8(1985):14-15. |
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