氢气氛浮区硅单晶中正电子湮灭参数的测量

	氢气氛浮区硅单晶中正电子湮灭参数的测量
	季国坤; 黄懋容; 刘年庆
刊名	核技术
	1982
期号	6 页码:66-68
关键词	硅单晶中子辐照参数表示晶体生长过程总计数间隙原子用正加热处理化学抛光机械抛光
其他题名	MEASUREMENT OF POSITRON ANNIHILATION PARAMETERS IN HYDROGEN FLOAT ZONED SILICON SINGLE CRYSTALS
通讯作者	季国坤
中文摘要	国外用正电子湮灭技术对电子、质子、中子辐照过的硅单晶进行了研究。证明辐照过的硅单晶都产生缺陷,这些缺陷都能捕获正电子,引起正电子湮灭寿命谱的变化。国产的一种硅单晶是在氢气氛中生长的,在生长过程中有氢气进入,在这种硅单晶中有硅氢键存在,当
公开日期	2016-02-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220684]
专题	高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式 GB/T 7714	季国坤,黄懋容,刘年庆. 氢气氛浮区硅单晶中正电子湮灭参数的测量[J]. 核技术,1982(6):66-68.
APA	季国坤,黄懋容,&刘年庆.(1982).氢气氛浮区硅单晶中正电子湮灭参数的测量.核技术(6),66-68.
MLA	季国坤,et al."氢气氛浮区硅单晶中正电子湮灭参数的测量".核技术 .6(1982):66-68.