| 题名 | 博士论文-慢正电子寿命谱仪的研制 |
| 作者 | 马雁云 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2007 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 王宝义 ; 魏龙 |
| 关键词 | 慢正电子寿命谱仪 微束团化系统 磁屏蔽 分辨率 |
| 学位专业 | 凝聚态物理 |
| 中文摘要 | 慢正电子湮没寿命测量主要利用慢正电子束流的单色性及能量连续可调等特点，研究缺陷在材料表面或近表面不同深度的分布信息。与基于22Na正电子源的常规正电子湮没寿命谱仪不同，慢正电子寿命谱仪利用微束团化装置获得起始时间信号。微束团化系统由斩波器、预聚束器、聚束器构成，可将随时间连续分布的慢正电子束流转化为频率为37.4725MHz、脉冲宽度200～300ps的脉冲束流。斩波器由三个金属网状电极构成，第一、三电极分别接0、-260V固定电位，第二个电极加载斩波信号。预聚束器有两个调制狭缝，狭缝间距为143.6mm，此距离等于正电子在预聚束信号变化半个周期内走的距离。聚束器为l/4同轴谐振器，谐振频率为149.89MHz，Q值约为2000。电子学系统由信号源、放大器、举电位电路及高压隔离器件等部件组成，可提供三路相位、幅度独立调节的同步信号，满足微束团化系统工作和寿命测量的需要。探测器由BF2、光电倍增管R3377组成，整体置于磁屏蔽系统中。磁屏蔽系统由螺线管线圈、坡莫合金层、硅钢层组成，可屏蔽100G的输运磁场，保证光电倍增管正常工作。; 采用测量已知寿命的标准样品，然后反解寿命谱的方法获得谱仪的分辨函数。通过测量Si、kapton膜、UHMWPE样品、Ti样品、GaN样品，确定谱仪分辨率为295ps。 |
| 语种 | 中文 |
| 学科主题 | 凝聚态物理 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/210073]  |
| 专题 | 多学科研究中心_学位论文和出站报告 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马雁云. 博士论文-慢正电子寿命谱仪的研制[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2007. |
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