利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性^87Rb原子

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	利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性^87Rb原子
	李晓林 ; 柯敏 ; 颜波 ; 唐九耀 ; 王育竹
刊名	物理学报
	2007
卷号	56 期号:11 页码:6367
关键词	原子芯片 atom chip Z形磁阱 Z-trap 阱深 trapping depth 磁阱装载 magnetic trap loading
ISSN号	1000-3290
其他题名	A Z-trap in an atom chip for trapping neutral Rb-87 atoms
中文摘要	利用解析和数值方法计算了Z形磁阱的囚禁势,发现当囚禁中心和芯片表面距离较远时（该距离和Z形线中部导线的一半长度相差不超过一个量级）,势阱的深度不能近似表示成偏置磁场By对应的能量,而要减去囚禁中心的势能高度;而增加By进行磁阱压缩到一定值时,势阱深度反而会下降.此外介绍了原子芯片的制作方法,以及利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子的实验装置和实验过程.最终有2×10^6个^87Rb原子被转移到Z形磁阱中.; Trapping potential of a Z-trap is calculated with analytic and numeric methods. It's found that when a trappin. g center is a little bit far from the chip surface (the distance is about one order of the half length of the Z-wire central part), the trapping depth is not approximately eqsual to the potential B-y created by a bias magnetic field, the potential energy at the trapping center should be subtracted from the potential B-y created by the bias field. On the other hand, if an atom cloud is compressed to a certain extent by increasing B-y, the trapping depth will be decreased rather than increased. The preparation of the Z-trap in an atom chip, the experimental setup, and the experimental procedure for trapping neutral (87) Rb atoms is also introduced. At last we obtained 2 x 10(6) (87) Rb atoms trapped in the Z-trap.
学科主题	光学;量子光学
分类号	O572.33
收录类别	EI
语种	中文
公开日期	2009-09-18
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/1257]
专题	上海光学精密机械研究所_量子光学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	李晓林,柯敏,颜波,等. 利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性^87Rb原子[J]. 物理学报,2007,56(11):6367, 6372.
APA	李晓林,柯敏,颜波,唐九耀,&王育竹.(2007).利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性^87Rb原子.物理学报,56(11),6367.
MLA	李晓林,et al."利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性^87Rb原子".物理学报 56.11(2007):6367.