离子源预处理工艺对WC基底表面及Ta缓冲涂层的影响

	离子源预处理工艺对WC基底表面及Ta缓冲涂层的影响
	魏俊俊; 朱小研; 陈良贤; 刘金龙; 黑立富; 李成明; 张勇
刊名	材料热处理学报
	2015-06-25
卷号	36 期号:6 页码:164-168
关键词	离子源预处理结合力表面粗糙度表面最大峰谷值
其他题名	Influence of ion source pretreatment on WC substrate surface and Ta buffer coating
产权排序	北京科技大学新材料技术研究院;中国科学院力学研究所;
中文摘要	研究了阳极层离子源预处理工艺对WC硬质合金基底表面粗糙度Ra和表面最大峰谷值Pv的影响,以及对后续镀制Ta缓冲涂层表面特征及膜基附着力的影响。结果表明,硬质合金基片表面粗糙度和表面最大峰谷值的增加量随基片偏压升高呈指数增加;而离子源电压对基片表面粗糙度和表面最大峰谷值影响较弱;采用离子源电压1350 V,基片偏压200 V轰击硬质合金基片15 min后镀制Ta膜,膜层表面晶粒细小均匀,表面致密性显著增加;此外,基片表面经离子源处理后,镀制的Ta缓冲层与基底的膜基结合力有较大改善,这将有利于提高后续贵金属保护涂层的附着力及抗元素扩散能力。
收录类别	EI ; CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:5456147
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/58222]
专题	力学研究所_国家微重力实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	魏俊俊,朱小研,陈良贤,等. 离子源预处理工艺对WC基底表面及Ta缓冲涂层的影响[J]. 材料热处理学报,2015,36(6):164-168.
APA	魏俊俊.,朱小研.,陈良贤.,刘金龙.,黑立富.,...&张勇.(2015).离子源预处理工艺对WC基底表面及Ta缓冲涂层的影响.材料热处理学报,36(6),164-168.
MLA	魏俊俊,et al."离子源预处理工艺对WC基底表面及Ta缓冲涂层的影响".材料热处理学报 36.6(2015):164-168.